ویژگی فیزیکی و مغناطیسی فروسیلیس

خواص فیزیکی

یک اتم سیلیکون چهارده الکترون دارد. در حالت پایه ، آنها در پیکربندی الکترون [Ne] 3s23p2 مرتب شده اند. از این تعداد ، چهار الکترون ظرفیت هستند که مدار 3s و دو مدار اوربیتال 3p را اشغال می کنند. مانند سایر اعضای گروه خود ، کربن سبک تر و ژرمانیم ، قلع و سرب سنگین تر ، دارای تعداد الکترون های ظرفیت برابر با اوربیتال های ظرفیت است: از این رو ، می تواند هشت اکتبر خود را کامل کند و پیکربندی پایدار گاز نجیب آرگون را بدست آورد. 

https://www.tejarat-gram.ir/price/casting/Ferrosilicon/%D9%81%D8%B1%D9%88%D8%B3%DB%8C%D9%84%DB%8C%D8%B3%20%D8%A7%DB%8C%D8%B1%D8%A7%D9%86%20(%D8%B3%D9%85%D9%86%D8%A7%D9%86)

تشکیل اوربیتال های ترکیبی sp3 ، تشکیل مشتقات چهار ضلعی SiX4 که در آن اتم سیلیکون مرکزی با هر یک از چهار اتمی که به آن پیوند دارد یک جفت الکترون به اشتراک بگذارد. [52] چهار انرژی اول یونیزاسیون سیلیکون به ترتیب 786.3 ، 1576.5 ، 3228.3 و 4354.4 کیلوژول در مول است. این ارقام به قدری زیاد هستند که امکان شیمی ساده کاتیونی برای عنصر را از بین می برند. 

 

به دنبال روندهای دوره ای ، شعاع کووالانسی تک پیوندی آن 117.6 بعد از ظهر بین کربن (77.2 بعد از ظهر) و ژرمانیوم (122.3 بعد از ظهر) واسطه است. شعاع یونی هگزاکوردین سیلیکون ممکن است 40 بعد از ظهر در نظر گرفته شود ، اگرچه با توجه به عدم وجود یک کاتیون ساده Si4 در واقعیت ، این باید یک شکل کاملاً تصوری باشد

 

در دما و فشار استاندارد ، سیلیکون یک نیمه هادی براق با جلای فلزی خاکستری مایل به آبی است. همانطور که برای نیمه هادی ها معمول است ، مقاومت آن با افزایش دما کاهش می یابد. این امر به این دلیل بوجود می آید که سیلیکون بین بالاترین سطح انرژی اشغال شده (باند ظرفیت) و کمترین میزان اشغال نشده (باند رسانایی) فاصله انرژی کمی (شکاف باند) دارد.

 

خواص مغناطیسی و الکتریکی

 سطح فرمی تقریباً در نیمه راه بین باندهای ظرفیت و هدایت قرار دارد و انرژی است که در آن یک حالت به احتمال زیاد توسط الکترون اشغال می شود نه. از این رو سیلیکون خالص به طور موثر عایق در دمای اتاق است. با این حال ، سیلیکون دوپینگ با یک pnictogen مانند فسفر ، آرسنیک یا آنتیموان یک الکترون اضافی در هر دوپانت وارد می کند و اینها ممکن است به صورت حرارتی یا فوتولیتیک در باند هدایت تحریک شوند و یک نیمه هادی نوع n ایجاد کنند. 

 

به طور مشابه ، سیلیکون دوپینگ با یک عنصر گروه 13 مانند بور ، آلومینیوم یا گالیوم منجر به معرفی مقادیر گیرنده می شود که الکترون هایی را که ممکن است از باند ظرفیت پر شده تحریک شوند ، به دام می اندازد و یک نیمه هادی از نوع p ایجاد می کند. 

 

 ((پیوستن سیلیکون نوع n به سیلیکون نوع p یک اتصال pn با یک سطح مشترک Fermi ایجاد می کند ؛ الکترونها از n به p جریان می یابند ، در حالی که سوراخ ها از p به n می روند و افت ولتاژ ایجاد می کنند. این اتصال pn به این ترتیب مانند یک دیود عمل می کند ترانزیستور یک اتصال npn است ، با یک لایه نازک از سیلیکون ضعیف نوع p بین دو منطقه n نوع. سوگیری انتشار دهنده از طریق یک ولتاژ کوچک جلو و کلکتور از طریق یک ولتاژ معکوس بزرگ به ترانزیستور اجازه می دهد تا به عنوان یک تقویت کننده تریود عمل کند.

Leave a reply

You may use these HTML tags and attributes: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>